CVD

Zkratka CVD ve smyslu Chemical Vapor Deposition vznikla pravděpodobně kolem roku 1960, kdy tento termín poprvé zavedl John M. Blocher, Jr., aby odlišil chemické napařování od fyzikálního (PVD). Technologie má své kořeny v principech depozice z plynné fáze známých již ve 20. století, ale praktické využití se rozvinulo od 30. let a výrazněji od 50. let s prvními aplikacemi v Německu, například na anti-wear povlaky z karbidu titanu.Používání zkratky CVD odpovídá standardnímu pojmenování postupu ukládání tenkých vrstev materiálu na podklad chemickou reakcí z plynné fáze. Termín „Chemical Vapor Deposition“ byl vytvořen s cílem přesněji vymezit tuto metodu oproti fyzikálním metodám.Důležitým milníkem bylo zvýraznění a rozšíření metody pro epitaxiální růst polovodičů v 60. letech, což učinilo CVD klíčovou technologií v mikroelektronice. Od 80. let prošla metoda dalším vývojem díky technikám jako plasma-enhanced CVD nebo aerosol-assisted CVD, které rozšířily možnosti depozice za různých podmínek.